تقویت كنندهای تفاضلی

          س 
            بازدید : 187
          دوشنبه 24 آبان 1395
           نظرات (0)
        

تقویت كنندهای تفاضلی

در این مقاله به بررسی و تجزیه و تحلیل تقویت كننده های خاصی می پردازیم كه اساسا از تركیب دو ترانزیستور به وجود آمده اند و تقویت كننده های تفاضلی نام گرفته اند

دسته بندی	برق، الکترونیک، مخابرات
فرمت فایل	doc
حجم فایل	95 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	13

دانلود مقاله رشته الکترونیک

تقویت كنندهای تفاضلی

مقدمه

در این مقاله به بررسی و تجزیه و تحلیل تقویت كننده های خاصی می پردازیم كه اساسا از تركیب دو ترانزیستور به وجود آمده اند و تقویت كننده های تفاضلی نام گرفته اند. این تقویت كننده ها در بسیاری از مدارهای الكترونیكی از جمله ،‌تقویت كننده های فركانس پایین و فركانس بالا مدولاتورها و حتی دروازه های منطقی به چشم می خورند. در طبقه ورودی كلیه تقویت كننده های عملیاتی به نحوی از یك تقویت كننده تفاضلی استفاده می شود . این تقویت كننده از پایداری با یاس مطلوبی برخوردار بوده و میت واند بهره ولتاژ قابل توجهی را تامین نماید. طبقات مختلف این تقویت كننده بدون نیاز به خازن كوپلاژ قابل اتصال به یكدیگر هستند. با توجه به مزایای مذكور این تقویت كننده برای كاربرد در مدارهای مجتمع بسیار مناسب است .

کلمات کلیدی:

ترانزیستور

تقویت كننده

تقویت كننده تفاضلی

اصول كار و ساختمان :

در تقویت كننده های تك ترانزیستوری مثلا در تركیب امیتر مشترك ،‌برای دستیابی به پایداری جریان بایاس لازم است از فیدبك منفی به صورت اتصال یك مقاومت بین امیتر و زمین استفاده نمود. اما همان طور كه می دانیم افزودن این مقاومت بهره ولتاژ تقویت كننده را كاهش می دهد و برای رفع این مشكل از یك خازن كنار گذر به موازات مقاومت امیتر استفاده می شود. استفاده از خازن در مدارهای مجتمع به دلیل سطح زیادی كه بر روی تراشه اشغال می كند ، مطلوب نمی باشد. در یك تقویت كننده تفاضلی به جای خازن كنار گذر ،‌مسیر سیگنال از طریق یك ترانزیستور دیگر به زمین بسته می شود. در شكل 1-1 منبع جریان امیتر ،‌پایداری بایاس را تامین نموده و سیگنال از طریق بیس – امیتر ترانزیستور Q2 به زیمن راه می یابد . مقاومت Rc در كلتكور ترانزیستور Q2 تاثیری در ایفا نقش مذكور توسط ترانزیستور Q2 ندار. اضافه نمودن این مقاومت این امكان را ایجاد می كند كه به بیس ترانزیستور Q2 نیز ورودی دیگری متصل شود .

فهرست مطالب

تقویت كنندهای تفاضلی1

اصول كار و ساختمان :1

تعاریف اساسی2

تقویت كننده تفاضلی با ترانزیستور های دو قطبی (BJT)4

تقویت كننده تفاضلی با ترانزیستور های غیر یكسان8

نتیجه12

گزارش كار برق تأسیسات با عنوان مدار

          س 
            بازدید : 105
          یکشنبه 21 شهریور 1395
           نظرات (0)
        

گزارش كار برق تأسیسات با عنوان مدار

دانلود گزارش كار برق تأسیسات با عنوان مدار

دسته بندی	برق، الکترونیک، مخابرات
فرمت فایل	doc
حجم فایل	46 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	12

گزارش كار برق تأسیسات با عنوان مدار

موضوع: مدار خاموش و روشن کردن موتور سه فاز

مدار فرمان صرفا برای راه اندازی مدار قدرت استفاده می شود و این کار را از طریق مغناطیس کردن بوبین مدار قدرت انجام می دهد.کنتاکت های اصلی دارای قطر بیشتر هستند و با اعداد یک رقمی نوشته می شوند. کلیه کنتاکت ها دو رقمی هستند و بسته به باز یا بسته بودنشان، یکان آنها 1 و 2 و3 یا 4 خواهد بود. اگر کنتاکت بسته باشد، رقم یکان 1 و 2 است، و اگر باز باشد 3 و 4 خواهد بود. (1 و 2 نرمالی close و 3 و 4 نرمالی open هستند).بهترین فیوز برای قطع سریع جریان فیوز فشنگی است و باید در ابتدای مدار قرار گیرد.

کلمات کلیدی:

اهم متر

ترانزیستور

موتور سه فاز

مدار فرمان و قدرت

فهرست مطالب

گزارش كار برق تأسیسات1

موضوع: مدار خاموش و روشن کردن موتور سه فاز2

موضوع: مدار فرمان موتورهای سه فاز3

استفاده از مدار ستاره و مثلث در یک مدار5

چپ گرد راست گرد کردن مدار فرمان و قدرت:7

استفاده از اهم متر:9

کاربرد خازن در مدار10

روش تشخیص پایه های ترانزیستور:11

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

          س 
            بازدید : 60
          سه شنبه 15 دی 1394
           نظرات (0)
        

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

سیستم همکاری در فروش فایلینا fileina فایلینا دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

ترانزیستور
MOSFET
ترانزیستور MOSFET
ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانااکسیدفلز
(metal–oxide–semiconductor fieldeffect transistor ( MOSFET
اثر میدان
مدارهای آنالوگ و دیجیتال
تقویت کننده متداول
پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
سیستم همکاری در فروش فایلینا
fileina
فایلینا
دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

دسته بندی	برق، الکترونیک، مخابرات
فرمت فایل	ppt
حجم فایل	1967 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	101

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود .

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

کلمات کلیدی:

ترانزیستور

MOSFET

ترانزیستور MOSFET

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز

(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ( MOSFET

اثر میدان

مدارهای آنالوگ و دیجیتال

تقویت کننده متداول

فهرست:

دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

ترانزیستور NMOS

ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.

اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس

رابطه جریان و ولتاژ

افزایش ولتاژ VDS

اشباع ترانزیستور

جریان در ناحیه تریود

تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)

ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)

ترانزیستور CMOS

شمای ترانزیستور NMOS

مشخصه iD-VDS

مقاومت کانال

که مستقل از ولتاژ VDS است.

اثر محدود بودن مقاومت خروجی

رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS

مقاومت خروجی

اثر بدنه

اثر حرارت

(Weak avalanche)

مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC

استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده

تقویت کننده متداول یعنی سورس مشترک (Common Source) که در آن سورس زمین شده، بین ورودی و خروجی تقویت کننده مشترک است.

روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET

به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویند

بایاس از طریق مقاومت فیدبک

بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت

نقطه بایاس DC

شرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع

جریان سیگنال در درین

گین ولتاژ

مدار معادل سیگنال کوچک

برای تحلیل مدار برای سیگنال کوچک

گین سیگنال کوچک

مقدار مقاومت ورودی

آنالیز DC

مدل T

تقویت کننده سورس مشترک

مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک

تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس

تقویت کننده گیت مشترک

مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک

مشخصات تقویت کننده گیت مشترک

مقدار مقاومت خروجی:

مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک

کاربرد تقویت کننده گیت مشترک

تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower

مدل سیگنال کوچک

عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ

بدست آوردن نقطه کار

مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور BJT

          س 
            بازدید : 87
          سه شنبه 15 دی 1394
           نظرات (0)
        

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور BJT

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور BJT سیستم همکاری در فروش فایل فایلینا fileina دانلود پاورپوینت کارشناسی الكترونیك با عنوان ترانزیستور BJT فایلینا

ترانزیستور
ترانزیستور BJT
BJT
تقویت کننده‌ها
مداراهای دیجیتال
امیتر(emitter) و کلکتور(collector)
دانلود پاورپوینت کارشناسی الكترونیك
خرید مقالات،پایان نامه ها و پروژه های پایانی کارشناسی الكترونیك
پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور BJT
سیستم همکاری در فروش فایل فایلینا
fileina
دانلود پاورپوینت کارشناسی الكترونیك با عنوان ترانزیستور BJT

دسته بندی	برق، الکترونیک، مخابرات
فرمت فایل	ppt
حجم فایل	1454 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	49

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور BJT

ترانزیستور

مقدمه

ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی می‌باشد. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع N و نوع P می‌باشد.ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می‌شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FET). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بین ورودی وترمینال مشترک رسانایی بین خروجی و ترمینال مشترک را افزایش می‌دهد، از اینرو سبب کنترل جریان بین آنها می‌شود. مشخصات ترانزیستورها به نوع آن بستگی دارد.

لغت «ترانزیستور» به نوع اتصال نقطه‌ای آن اشاره دارد، اما انی سمبل قدیمی با سمبل‌هایی را کردند که اختلاف ساختار ترانزیستور دوقطبی را به صورت دقیقتر نشان می‌داد، اما این ایده خیلی زود رها شد.

در مدارهای آنالوگ، ترانزیستورها در تقویت کننده‌ها استفاده می‌شوند، (تقویت کننده‌های جریان مستقیم، تقویت کننده‌های صدا، تقویت کننده‌های امواج رادیویی) و منابع تغذیه تنظیم شده خطی. همچنین از ترانزیستورها در مدارات دیجیتال بعنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شود، اما به ندرت به صورت یک قطعه جدا، بلکه به صورت بهم پیوسته در مدارات مجتمع یکپارچه بکار می‌روند. مداراهای دیجیتال شامل گیت‌های منطقی، حافظه با دسترسی تصادفی (RAM)، میکروپروسسورها و پردازنده‌های سیگنال دیجیتال (DSPs) هستند.

ترانزیستور می‌تواند به عنوان سوییچ نیز کار کند. ترانزستور سه پایه دارد.

ساختمان ترانزیستور

BJT از اتصال سه لایه بلور نیمه هادی تشکیل می‌شود. لایه وسطی بیس(base)، و دو لایه جانبی، یکی امیتر(emitter) و دیگری کلکتور(collector) نام دارد. نوع بلور بیس، با نوع بلورهای امیتر و کلکتور متفاوت است.معمولاً میزان ناخالصی در امیتر بیشتر از دو لایه دیگر وهمچنین عرض لایه بیس کمتر و عرض لایه کلکتور بیشتر از لایه های دیگر است.دریک ترانزیستور دوقطبی، لایه امیتر یا گسیلنده بیشترین مقدار ناخالصی را دارد. که الکترونها از امیتر به سوی لایه کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، گسیل داده می شود.

کلمات کلیدی:

ترانزیستور

ترانزیستور BJT

BJT

تقویت کننده‌ها

مداراهای دیجیتال

امیتر(emitter) و کلکتور(collector)

فهرست

مقدمه

ساختار ترانزیستور BJT

یک ترانزیستور BJT از نوع npn از سه قطعه نیمه هادی متصل به هم تشکیل میشود:

ساختار ترانزیستور BJT

یک ترانزیستور BJT از نوع pnp از سه قطعه نیمه هادی متصل به هم تشکیل میشود:

طرز کار ترانزیستور npn درناحیه فعال

عبور جریان

جریان کلکتور

جریان بیس

جریان امیتر

مدل ترانزیستور در ناحیه فعال

علائم مداری

نمایش گرافیکی مشخصه ترانزیستور

رابطه جریان و ولتاژ کلکتور

رابطه جریان و ولتاژ VCE

مدار معادل ترانزیستور در آرایش امیتر مشترک

نواحی کاری ترانزیستور

ترانزیستور در ناحیه قطع

ترانزیستور در ناحیه اشباع

اشباع ترانزیستور

ترانزیستور BJT بعنوان تقویت کننده

بایاس DCتقویت کننده امیتر مشترک

گین تقویت کننده

نمایش گرافیکی اعمال سیگنال کوچک

ترانزیستور BJT بعنوان سوئیچ

مثال 1

مراحل آنالیز DCترانزیستور

مثال 2

برای آنالیزDC مدار

ادامه مثال 2

مثال 3

بیس-امیتر

مثال 4

ادامه مثال 4 : معادل تونن

مثال 5

شباهتهای BJT و CMOS

دانلود

دانلود محصولات علمی

تقویت كنندهای تفاضلی

دانلود مقاله رشته الکترونیک

تقویت كنندهای تفاضلی

ترانزیستور

تقویت كننده

تقویت كننده تفاضلی

گزارش كار برق تأسیسات با عنوان مدار

گزارش كار برق تأسیسات با عنوان مدار

موضوع: مدار خاموش و روشن کردن موتور سه فاز

اهم متر

ترانزیستور

موتور سه فاز

مدار فرمان و قدرت

گزارش كار برق تأسیسات1

موضوع: مدار خاموش و روشن کردن موتور سه فاز2

موضوع: مدار فرمان موتورهای سه فاز3

استفاده از مدار ستاره و مثلث در یک مدار5

چپ گرد راست گرد کردن مدار فرمان و قدرت:7

استفاده از اهم متر:9

کاربرد خازن در مدار10

روش تشخیص پایه های ترانزیستور:11

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود .

ترانزیستور

MOSFET

ترانزیستور MOSFET

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز

(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ( MOSFET

اثر میدان

مدارهای آنالوگ و دیجیتال

تقویت کننده متداول

دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT

ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.

تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)

تقویت کننده متداول یعنی سورس مشترک (Common Source) که در آن سورس زمین شده، بین ورودی و خروجی تقویت کننده مشترک است.

روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET

تقویت کننده سورس مشترک

مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور BJT

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور BJT

ترانزیستور

ساختمان ترانزیستور

ترانزیستور

ترانزیستور BJT

BJT

تقویت کننده‌ها

مداراهای دیجیتال

امیتر(emitter) و کلکتور(collector)