استفاده از روش نقشه های پتانسیلی جهت بررسی خوردگی پایه پل شبیه سازی شده غوطه ور در آب دریا

          س 
            بازدید : 55
          شنبه 13 آذر 1395
           نظرات (0)
        

استفاده از روش نقشه های پتانسیلی جهت بررسی خوردگی پایه پل شبیه سازی شده غوطه ور در آب دریا

هدف از این پایان نامه استفاده از روش نقشه های پتانسیلی جهت بررسی خوردگی پایه پل شبیه سازی شده غوطه ور در آب دریا می باشد

بتن مسلح
آرماتورهای فولادی
سازه های بتن مسلح
مقاومت پلاریزسیون خطی
خوردگی آرماتورهای فولادی
بررسی خوردگی پایه پل در آب دریا
استفاده از روش نقشه های پتانسیلی جهت بررسی خوردگی پایه پل شبیه سازی شده غوطه ور در آب دریا
دانلود پایان نامه کارشناسی ارشد مواد
دانلود پایان نامه ارشد مهندسی مواد

دسته بندی	مهندسی مواد
فرمت فایل	pdf
حجم فایل	2580 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	150

دانلود پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی مواد و متالوژی

استفاده از روش نقشه های پتانسیلی جهت بررسی خوردگی پایه پل شبیه سازی شده غوطه ور در آب دریا

*قابل استفاده برای مهندسی عمران

چکیده:

خوردگی آرماتورهای بتون یکی از مشکلات عظیم و رو به رشد درکشورهای صنعتی جهان محسوب می شود. بتونهای مسلح بطور گسترده در پروژه های ساختمانی نظیر پلها، تونلها، تاسیسات ساختمانی، پلاتفرمهای نفتی و غیره استفاده می شوند. در حال حاضر خوردگی آرماتورها بعنوان یک مشکل شناخته شده پذیرفته گردیده است و روشهای اصولی و قابل اطمینان جهت کاهش هزینه های ناشی از تعمیر و افزایش طول عمر سازه های بتونی به کار گرفته می شوند.

در تحقیق حاضر رفتار آرماتورهای فولادی داخل بتن، توسط مانیتورینگ دقیق پتانسیل‌های خوردگی مورد مطالعه قرار گرفته است . جهت انجام آزمایش‌ها و شبیه‌سازی پایه پل غوطه‌ور در آب دریا، نمونه‌ای استوانه‌ای شکل با 21 آرماتور و نسبت W/C 0/7 تهیه گردید. نتایج پتانسیل‌های الکتریکی که به روش ASTM C876-91 (روش تست برای پتانسیل‌های نیم پیل فولاد مسلح بدون پوشش در بتن) در مدت زمان 220 روز اندازه‌گیری شده بود، بصورت نقشه‌های هم‌پتانسیل ترسیم گردید. جهت تعیین صحت نقشه‌های هم‌پتانسیل و تعییم‌ن نرخ خوردگی از روش اندازه‌گیری مقاومت پلاریزاسیون خطی (LPRM) بدلیل اندازه‌گیری سریع نرخ خوردگی، دقت بالا و غیرمخرب بودن استفاده گردید.

با توجه به نتایج حاصل از نقشه‌های هم‌پتانسیل، مشخص گردید که نواحی گردابی متحدالمرکز، نشان دهنده موقعیت آندی، و تپه‌های فرعی، معرف مشکلات آینده (نواحی دارای ریسک خوردگی بالا) هستند. در مناطق آندی چگالی خطوط هم‌پتانسیل بیش از سایر نواحی بود. بنابراین، نواحی دارای خطوط هم‌پتانسیل نزدیک به هم، معرف نقاطی با نرخ خوردگی خطوط بالا می‌باشند. با گذشت زمان و نفوذ بیشتر یون کلر به داخل نمونه آزمایشی، چگالی خطوط هم‌پتانسیل در نواحی با ریسک خوردگی بالا (تپه‌های فرعی) افزایش یافت . نتایج حاصل از اندازه‌گیری مقاومت پلاریزاسیون خطی و بازرسی چشمی سطح آرماتورها، مطالب فوق را به خوبی تائید کرد. از اینرو، روش نقشه‌های پتانسیلی سازگارترین و موفق‌ترین روش الکتروشیمیایی برای ارزیابی خوردگی فولاد تسلیح است .

کلمات کلیدی:

بتن مسلح

آرماتورهای فولادی

سازه های بتن مسلح

مقاومت پلاریزسیون خطی

خوردگی آرماتورهای فولادی

فهرست مطالب

فصل اول:کلیات

فصل دوم:بررسی مبانی تحقیق

بتن مسلح

خوردگی آرمانور در بتن

واکنش خوردگی

احتمال و سرعت وقوع خوردگی

تاثیر عوامل داخلی بر خوردگی آرماتورهای فولادی داخل بتن

بررسی فصل مشترک فولاد و بتن

کربناسیون

حمله کلرورها

دیفیزیون یون کلر

مانیتورینگ خوردگی فولاد در بتن

روشهای کنترل خوردگی

فصل سوم:روش تحقیق

روش انجام آزمایشها

آماده سازی آرماتورهای فولادی

محاسبه اجزا تشکیل دهنده بتن

روش اندازه گیری پتانسیل

فصل چهارم:نتیجه گیری و بحث

نمودارهای پتانسیل و زمان

بررسی نمودارهای پتانسیل و زمان

نمودارهای پتانسیل-فاصله

بررسی نمودارهای پتانسیل-فاصله برای آرماتورهای 2،14،21

بررسی نقشه ای پتانسل

حفاظت کاتدی

بارز چشمی

نتیجه گیری

مراجع

بررسی كاركرد لایه های نازك CuInSe و اهمیت اتصال به آنها

          س 
            بازدید : 499
          چهارشنبه 19 آبان 1395
           نظرات (0)
        

بررسی كاركرد لایه های نازك CuInSe و اهمیت اتصال به آنها

به ماده یا موادی گفته می شود که به صورت پوششی بر یک سطح یا ماده می نشینند و باعث ایجاد خواص الکتریکی، فیزیکی و مکانیکی سطحی جدیدی می شود که که خصوصیات سطحی زیر لایه را ارتقاء می‌بخشد

دسته بندی	مهندسی مواد
فرمت فایل	doc
حجم فایل	6618 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل	190

دانلود پایان نامه کارشناسی ارشد رشته مواد

بررسی كاركرد لایه های نازك CuInSe و اهمیت اتصال به آنها

مقدمه:

لایه نازک در واقع لایه ای از مواد است که ضخامت آن در رنج کسری از یک نانومتر تا چند میکرومتر قرار گرفته باشد. اهمیت عمده لایه های نازک در صنایع الکترونیک، میکروالکترونیک و صنایع نوری می باشد که در سال های اخیر با پیشرفت فناوری نانو، رشد قابل ملاحظه ای را در اصلاح خواص سطحی مواد داشته است. خواص لایه های نازک وابسته به ساختار و مورفولوژی آنها طی فرایند رشد و جوانه زنی است.

به طور کلی لایه به ماده یا موادی گفته می شود که به صورت پوششی بر یک سطح یا ماده می نشینند و باعث ایجاد خواص الکتریکی، فیزیکی و مکانیکی سطحی جدیدی می شود که که خصوصیات سطحی زیر لایه را ارتقاء می‌بخشد.معمولا در فیزیک حالت جامد، مواد را به صورت توده ای مورد بررسی قرار می دهند. در عموم روش های لایه نشانی، هنگامی که ماده از حالت توده ای به صورت اتم ها، ملکول ها یا یون های مجزا درآیند و روی سطح زیرلایه نشینند، پوششی ایجاد می شود که آنرا لایه می نامند. چگالش ذرات اتمی، ملکولی یا یونی برای تشکیل لایه بر روی زیرلایه توسط فرایندهای فیزیکی و شیمیایی مختلفی صورت می گیرد.

معمولا اگر لایه تشکیل شده نازک باشد، خواص فیزیکی جدیدی از خود بروز می دهد که با خواص همان لایه به صورت توده ای متفاوت است که به این ترتیب می توان قابلیت های جدیدی به محصول افزود.

اصولاً لایه ها و پوشش های مختلف از نقطه نظر ضخامت به سه گروه تقسیم می شوندکه عبارتند از:

1. لایه های بسیار نازک با ضخامت کمتر از 50 انگستروم

2. لایه های نازک با ضخامت بین 50 تا 5000 انگستروم

3. لایه های ضخیم با ضخامت بیش از 5000 انگستروم

طبق تعریف بالا، لایه های نازک لایه هایی هستند که ضخامت آنها بین 50 تا5000 انگستروم می باشد. به بیان دیگر لایه های نازک ، لایه های با دقت اتمی طراحی شده ای از انواع مواد اعم از فلزات، عایق ها، نیمه رساناها هستند. لایه های نازک را می توان در دسته پوشش های نانو ساختار دسته بندی کرد. همچنین کاربرد عمده این لایه های نازک در اصلاح خواص سطح جامدات است.

لایه های نازک و بسیار نازک، از دو ویژگی مهم برخوردار هستند. اولین ویژگی، ضخامت زیرمیکرونی آن است که هر چه به اندازه نانو نزدیک تر شود، ویژگی های متفاوت‌تری را برای لایه به وجود می آورد. دومین ویژگی آن است که لایه ها می توانند سطوح فوق العاده بزرگی نسبت به ضخامت داشته باشند. این دو ویژگی باعث پدید آمدن خواص متفاوت‌تر، و کاربردی می شوند که در قسمت خواص لایه های نازک به آن پرداخته خواهد شد[1-3].

کلمات کلیدی:

لایه نازک

روش های سنتز

سلولهای خورشیدی

لایه های نازك CuInSe

اهمیت لایه های نازک

در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته و حجم وسیعی از تحقیقات را به خود اختصاص داده است. بی شک رشد چشمگیر ارتباطات، پردازش اطلاعات، ذخیره سازی، صفحه های نمایش، صنایع تزئینی، ابزارآلات نوری، مواد سخت و عایق ها نتیجه تولید لایه های نازک براساس فناوری های نوین می باشد. در ساخت لایه های نازک نیز در سال های اخیر تحولات وسیعی صورت گرفته است که خود ناشی از پیشرفت در فناوری خلاء، تولید میکروسکوپ های الکترونی و ساخت وسایل دقیق و پیچیده ی شناسایی مواد است. همچنین باز شدن مباحثی نظیر میکروالکترونیک، اپتیک و نانوتکنولوژی مدیون اهمیت پوشش های لایه نازک می باشد. از نقطه نظر تاریخی در ابتدا تکنولوژی لایه نازک در صنایع مدارهای مجتمع(شکل 2)استفاده شد. در ادامه طی 40 سال اخیر، نیاز صنایع به ابزارهای کوچکتر و سریعتر، تکنولوژی و فیزیک لایه های نازک را جهت رسیدن به این هدف بهبود بخشید

فهرست مطالب

بررسی كاركرد لایه های نازك CuInSe و اتصالات اهمیت به آنها4

فصل اول:مقدمه ای بر لایه های نازک5

مفهوم لایه های نازک5

اهمیت لایه های نازک7

تاریخچه لایه های نازک9

فیزیک لایه های نازک10

بحث و نتیجه گیری12

فصل دوم:خواص لایه های نازک13

1-خواص لایه نازک14

1-1-خواص مکانیکی14

2-1- خواص الکتریکی15

6-1-خواص حرارتی19

فصل سوم:روش های سنتز، آنالیز و کاربردهای لایه های نازک20

1-روشهای سنتز لایه های نازک20

1-1-روش های فیزیکی(Physical Method):20

2-1-روش های شیمیایی(Chemical Method):23

1-2-1-رسوبدهی شیمیایی بخار(CVD:Chemical Vapor Deposition)24

شکل 5- آبکاری الکتریکی با جریان مستقیم [4].26

3]. 3-2-1- آبکاری الکترولس(Electroless Plating)26

2-آنالیز لایه های نازک28

فصل چهارم:تاریخچه سلولهای خورشیدی33

طرز كار سلول خورشیدی39

نظریه هایی در ارتباط با سلول خورشیدی :41

جدایی حامل های بار :43

پیوند p-n :45

انواع سلولهای خورشیدی :46

سلولهای خورشیدی پلیمری / آلی48

سلولهای خورشیدی نانوكریستال49

فوتوولتائیك های متمركز كننده (cpv) :49

ساختار سلولهای خورشیدی51

سلولهای PV چند بلوری :52

دستگاه با پیوند ناهمجنس55

- مدار هم ارز سلول خورشیدی:60

- بازده تبدیل انرژی60

-ضریب پر کردن :60

- بازده کوانتوم :61

- اتصال به یک بار خارجی61

- مواد جاذب نور61

- ویژگی های یک سلول خورشیدی :66

- محدودیتهای طبیعی بازده66

فصل پنجم:روش ساخت سلول خورشیدی فیلم نازک CuInSe268

ادعاها :69

تشکیل یک لایه فعال71

شرح پیش زمینه ابداه77

روش ساخت فیلمهای نازك Cu(In,Ga)(Se,S)2 با بازده بالا برای سلولهای خورشیدی95

روش تبلور مجدد برای سلنیزه كردن فیلم نازك Cu(In,Ga)Se2 برای كار بردهای وسیله نیمه رسانا118

پیش زمینه ابداع :123

شرح تفصیلی :169

منابـــــع :189

دانلود

دانلود محصولات علمی

استفاده از روش نقشه های پتانسیلی جهت بررسی خوردگی پایه پل شبیه سازی شده غوطه ور در آب دریا

دانلود پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی مواد و متالوژی

استفاده از روش نقشه های پتانسیلی جهت بررسی خوردگی پایه پل شبیه سازی شده غوطه ور در آب دریا

بتن مسلح

آرماتورهای فولادی

سازه های بتن مسلح

مقاومت پلاریزسیون خطی

خوردگی آرماتورهای فولادی

خوردگی آرمانور در بتن

تاثیر عوامل داخلی بر خوردگی آرماتورهای فولادی داخل بتن

بررسی فصل مشترک فولاد و بتن

مانیتورینگ خوردگی فولاد در بتن

روشهای کنترل خوردگی

آماده سازی آرماتورهای فولادی

محاسبه اجزا تشکیل دهنده بتن

بررسی كاركرد لایه های نازك CuInSe و اهمیت اتصال به آنها

دانلود پایان نامه کارشناسی ارشد رشته مواد

بررسی كاركرد لایه های نازك CuInSe و اهمیت اتصال به آنها

لایه نازک

روش های سنتز

سلولهای خورشیدی

لایه های نازك CuInSe

اهمیت لایه های نازک

فصل اول:مقدمه ای بر لایه های نازک5

فصل دوم:خواص لایه های نازک13

فصل سوم:روش های سنتز، آنالیز و کاربردهای لایه های نازک20

فصل چهارم:تاریخچه سلولهای خورشیدی33

فصل پنجم:روش ساخت سلول خورشیدی فیلم نازک CuInSe268